Одномерная консолидация

Проверяется реализация расчёта консолидации в SiO 2D: исследуется изменение избыточного порового давления при нагружении в грунтовой колонке высотой 1,0 м и шириной 0,1 м, наверху которой приложена вертикальная нагрузка. В примере верифицируется распределение относительного избыточного порового давления во времени и в зависимости от глубины.
Рис. 9.1.1

Расчётная схема

Геометрия
h = 1,0 мвысота модели
b = 0,1 мширина модели

Свойства материалов


ПараметрЗначениеНаименование
1γ0 кН/м³удельный вес
2E 1000 кН/м²модуль деформации
3ν 0коэффициент Пуассона
4kx0,001 м/суткоэффициент фильтрации в горизонтальном направлении
5ky0,001 м/суткоэффициент фильтрации в вертикальном направлении
6B0,9933параметр Скемптона

Граничные условия

Деформационные граничные условия

ГраницаТип
ВерхняяСвободная
ПраваяЗакреплённая по горизонтали
НижняяЗакреплённая по горизонтали и вертикали
ЛеваяЗакрепленная по горизонтали

Фильтрационные граничные условия

ГраницаТип
ВерхняяОткрытая
ПраваяЗакрытая (непроницаемая)
НижняяЗакрытая (непроницаемая)
ЛеваяЗакрытая (непроницаемая)

Эталонное решение

Искомое значение: распределение относительного избыточного порового давления по глубине и во времени:

p / p0 (z, t)

Одномерная консолидация грунта может быть описана с помощью следующего дифференциального уравнения для избыточного порового давления p:

∂p/∂t = c_v (∂^2 p) / (∂z^2 )

где z – глубина над нижней границей грунта: 

z = H − y

Степень консолидации c_v определяется как:

c_v = (k ⋅ E_oed) / γ_w

E_oed = (1−ν') ⋅ E' / ( (1+ν') ⋅ (1−2ν') ) 

Аналитическое решение этого уравнения в виде относительного избыточного порового давления p⁄p_0 как функции времени t и глубины z дано в работе Verruijt (2001):

Это решение, а также результаты, полученные в SiO 2D, представлены на рисунках 9.1.2–9.1.4. Каждый из рассмотренных периодов консолидации представляет собой участок в виде безразмерного фактора времени Тv, определенного как Tv = (c_v⋅t)/(H2). Напор Н равен высоте грунтовой колонки. Глубина z нормализуется по H.

Рис. 9.1.2

Аналитическое решение (Verruijt, 2001)

Результаты в SiO 2D

Ниже приводятся результаты, полученные в SiO 2D.

Рис. 9.1.3

Развитие относительного избыточного порового давления p/p0 во времени (Тv) и в зависимости от глубины (z/H), полученное в SiO 2D и аналитически 

Рис. 9.1.4

Эпюры избыточного порового давления
по вертикальному сечению грунтовой колонки в SiO 2D

Выводы

Рассчитанные максимальные погрешности для каждой кривой на рис. 9.1.3 представле-ны в таблице ниже. 
TvЭталонное решениеSiO 2D∆(%)
0,01−0,9953
−0,96493,06
0,02−0,8664
−0,93928,40
0,05−0,7941−0,76743,37
0,10−0,6286−0,60763,34
0,20−0,4616−0,44743,09
0,50−0,0580 −0,06084,78
1,00−0,0169−0,018610,35

Теоретическое решение и результаты, полученные в SiO 2D, хорошо согласуются. Максимальные относительные погрешности для рассмотренного консолидационного расчёта варьируются от 3,06 до 10,35 %. Важно отметить, что расхождения вызваны тем, что изначально рассчитанное избыточное поровое давление в SiO 2D зависит от параметра Скемптона и составляет 0,993 × p_внеш, вместо 1.0 × p_внеш (как в строгом аналитическом решении). Это связано с тем, что поровая вода в SiO 2D не является полностью несжимаемой. По этой же причине результаты в программе PLAXIS 2D также имеют небольшие расхождения с аналитическим решением и более близки к результатам в SiO 2D.

Примечание

Результаты, представленные в отчёте, могут незначительно отличаться от результатов, полученных в других версиях программы.

Остались вопросы?

Заполните форму и получите полный верификационный отчёт. Технические специалисты готовы ответить на ваши вопросы о программе

Запросить отчётЗапросить демо
Cookie-файлы
Настройка cookie-файлов
Детальная информация о целях обработки данных и поставщиках, которые мы используем на наших сайтах
Аналитические Cookie-файлы Отключить все
Технические Cookie-файлы
Другие Cookie-файлы
Мы используем файлы Cookie для улучшения работы, персонализации и повышения удобства пользования нашим сайтом. Продолжая посещать сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов Cookie. Подробнее о нашей политике в отношении Cookie.
Принять все Отказаться от всех Настроить
Cookies